銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm

InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點(diǎn)。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)量：1707

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管（內(nèi)置TEC制冷型）

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測(cè)的專(zhuān)用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

光譜響應(yīng)

900-1700nm

響應(yīng)度

@1550nm 0.85 A/W

技術(shù)參數(shù)

線性模式參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)				IGA-APD-GM104-TEC
參數(shù)	符號(hào)	單位	測(cè)試條件	最小	典型	最大
反向擊穿電壓	VBR	V	22℃±3℃ ，ID =10μA	60	80	90
響應(yīng)度	Re	A/W	22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1	0.8	0.85
暗電流	ID	nA	22℃±3℃，M =10		0.1	0.3
電容	C	pF	22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz			0.25
擊穿電壓溫度系數(shù)	η	V/K	-40℃ ~80℃，ID =10μA			0.15

蓋革模式參數(shù)

參數(shù)	單位	測(cè)試條件	最小	典型	最大
單光子探測(cè)效率 PDE	%	-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布單光子源	20
暗計(jì)數(shù)率 DCR	kHz	-45℃，1ns門(mén)寬，2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			20*
后脈沖概率 APP		-45℃，1ns門(mén)寬，2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			1× 10-3
時(shí)間抖動(dòng)Tj	ps	-45℃，1ns 門(mén)寬，2MHz門(mén)控重頻，PDE=20%			100