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CW-DFB-ICL帶間級聯中紅外DFB激光器 /ICL-DFB激光二極管 3.4um 產品總覽 ICL設備基于與QCL不同的設計原則，這導致了一些技術上的差異。主要區別在于電流、電壓和功耗低得多，便于集成到更小的封裝和系統中。輸出功率通常也較低。發射光是線偏振的TE偏振；在HHL封裝中，會轉化為水平極化帶間級聯激光器(ICL)是一種發射范圍在2.7 - 3.9 μm之間的中紅外光源，尤其對碳氫

1064nm DFB激光二極管 (CW功率30mW PW功率100mW) QLD1x6x 系列高功率單模 DFB 激光器提供 1020 nm 至 1180 nm 的波長范圍。所有型號均采用標準 14 針蝶形模塊封裝，配有保偏光纖 (PMF) 和內置光隔離器。它們具有出色的光譜穩定性，可以在從連續波到短脈沖（皮秒、納秒）的各種驅動條件下運行，非常適合用于材料加工等應用的光纖激光器脈沖播種機。

2004nm單模高功率DFB激光器(TO39封裝 CO2檢測專用) 由 LD-PD 制造的 PL-DFB-2004-A-A81 2004nm DFB 激光二極管模塊是一種具有成本效益的高相干激光源。DFB 激光二極管芯片采用行業標準的密封 TO39 封裝，內置 TEC 和 PD。

VCSEL單模垂直腔面發射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta 60±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。